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三星冲先进制程 进逼台积|best365官网登录入口

发布日期:2024-06-29 12:17浏览次数:
本文摘要:三星冲先进制程 进逼台积

三星晶圆代工事业冲刺先进制程再催油门,进逼台积电。

三星冲先进制程 进逼台积

三星晶圆代工事业冲刺先进制程再催油门,进逼台积电。韩国媒体报导,三星4纳米良率已从年初的五成跃增到75%,已可与台积电相比拟;3纳米良率则达60%,在更先进的2纳米制程与台积电竞争的本钱更雄厚,后续更有机会抢台积电订单。

对于三星先进制程良率传出大跃进,台积电一贯不评论对手,加上现为法说会前缄默期,公司昨日未评论。

台积电昨天股价开低走高,尾盘神龙摆尾翻红,收盘价578元新台币、涨1元新台币,未受三星相关消息影响。

韩国经济日报与BusinessKorea报导,HI投资证券半导体分析师朴相昱11日发布报告指出,三星4纳米良率已提高到75%,3纳米良率则改善到60%。

今年初时,业界预估三星4纳米良率约50%。

3纳米和4纳米等先进制程技术良率超过60%,意味这些制程生产已达稳定水准。朴相昱研判,三星能提高良率的原因之一,是芯片业景气趋缓,“随着整体产业放缓,晶圆厂产能利用率降低,三星投入更多测试晶圆于改善良率”。

他指出,“之前三星10纳米以下良率改善放缓,致使三星不断延后推出产品,而良率是苹果、英伟达及高通等大厂转向台积电投片的关键”,台积电和三星去年资本支出差距因而拉大到3.4倍,产能差距也扩大到3.3倍,“在7纳米技术以下的制程节点,台积电去年全球市占率接近90%,让三星更难赶上”。

朴相昱认为,现在三星先进制程良率已几乎和台积电相当,提高赢回高通、英伟达等客户订单的机率,诱因包括采用环绕闸极电晶体架构的3至5纳米制程良率改善,以及芯片业希望扩增供应来源。其他分析师也说,三星3纳米良率改善后,在更先进2纳米制程与台积电相竞争的本钱更雄厚。


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